PMOS剂量计的退火特性

• 作者: 严荣良 任迪远 张国强 艾尔肯 范隆
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 剂量计 PMOS 退火特性
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 383-387
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.013

摘要

研究了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现.结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高退火温度下，退火速率高，幅度大；相同退火温度下，正偏置与负偏置相比有加速退火的作用，其退火幅度也较大.在180℃，零偏条件下获得了最快的100％的退火效果；用模型讨论了实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范隆	中国科学院新疆物理研究所	13	69	5.0	8.0
2	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
3	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
4	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
5	艾尔肯	中国科学院新疆物理研究所	17	152	7.0	12.0