ZnO:Al透明导电膜的制备及其性能的研究

• 作者: 宁兆元 程珊华 葛水兵
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光沉积 ZnO膜 掺杂比 氧分压强
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 77-79
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.019

摘要

利用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0.75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透光率(在波长大于500nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0Pa(不充氧)、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学薄膜材料实验室	70	528	12.0	18.0
2	葛水兵	苏州大学薄膜材料实验室	14	103	6.0	10.0
3	程珊华	苏州大学薄膜材料实验室	30	347	11.0	17.0