a-SiCx:H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索

• 作者: 刘志钢 周伟 孙钟林 薛俊明
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基合金 Er-O复合体 发光 分子轨道理论
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 135-138
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.08.042

摘要

本文提出在宽带隙的a-SiCx:H或β-SiC中共掺铒和氧以实现铒的1.54μm光发射.用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了β-SiC中Er缺陷的电子结构,并在实验上实现了Er在a-SiCx:H中的1.54μm光致发光(77K).结果表明,β-SiC或a-SiCx:H有可能是实现Er的1.54m室温高效发光的优良基质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛俊明	南开大学光电子所	26	157	7.0	11.0
2	孙钟林	南开大学光电子所	45	304	11.0	15.0
3	刘志钢	南开大学光电子所	3	0	0.0	0.0
4	周伟	中科院半导体所材料科学实验室	1	0	0.0	0.0