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摘要:
砷化镓工艺过程中出现的问题往往与杂质的分布有关,二次离子质谱技术是研究各种成分的三维分布的主要测试方法之一,由于其自身的特点使其成为分析器件失效原因的最有效的检测手段.利用SIMS技术对砷化镓材料、离子注入、外延生长、光刻、欧姆接触形成、肖特基势垒形成及钝化等工艺中出现的典型问题进行了研究分析,找出了失效原因,为改进工艺提供了依据.
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文献信息
篇名 二次离子质谱技术在砷化镓工艺中的应用
来源期刊 半导体情报 学科 工学
关键词 二次离子质谱 砷化镓工艺 失效分析
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 工艺技术
研究方向 页码范围 28-32,41
页数 6页 分类号 TN305
字数 3975字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.01.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 马农农 1 2 1.0 1.0
2 韩象明 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
二次离子质谱
砷化镓工艺
失效分析
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
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