极薄铁电薄膜J-V曲线温度特性的研究

• 作者: 冯汉华 李兴教 王宁章 袁润章 陈涛 鲍军波 黄新堂
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 电流温度特性 Sub-100 nm
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 453-456
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2001.06.014

摘要

用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜BIT/p-Si(100)和PZT/p-Si(100),借助于X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了薄膜的显微结构,并对这两种极薄铁电薄膜Au/BIT/p-Si(100)和Au/pZT/p-Si(100)的J-V曲线温度特性进行了拟合分析讨论.模拟分析结果表明,在负温区,电流密度J对温度T有较强的依赖关系,但与通常欧姆电流温度关系不同.而在正温区,服从J=KV2关系,ε和SCLC电流密度J则与温度T无关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈涛	华中科技大学电子系	175	1655	21.0	35.0
2	袁润章		170	2200	24.0	36.0
3	李兴教	华中科技大学电子系	11	64	4.0	7.0
4	鲍军波	华中科技大学电子系	8	58	4.0	7.0
5	王宁章	华中科技大学电子系	7	16	2.0	3.0
6	冯汉华	华中科技大学电子系	3	9	2.0	3.0
7	黄新堂	华中科技大学电子系	1	2	1.0	1.0