热处理气氛及掺钴对NiO电极赝电容器性能的影响

• 作者: 何莉 梁逵 谭昌瑶 陈艾
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 赝电容器 氧化镍 热处理气氛 钴掺杂
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-2
• 页数: 2页
• 分类号: TM53
• 字数: 1564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2001.05.001

摘要

在讨论赝电容形成机理的基础上，应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH)2膜，经热处理得到NiO膜。研究发现，Ni(OH)2在空气中热处理所得NiO在KOH水溶液中能形成赝电容，但在N2气氛中热处理所得的NiO在KOH水溶液中未能形成赝电容；钴掺入NiO使比电容量显著增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈艾	电子科技大学信息材料工程学院	23	487	12.0	22.0
2	梁逵	电子科技大学信息材料工程学院	9	284	8.0	9.0
6	谭昌瑶		7	60	4.0	7.0
7	何莉	电子科技大学信息材料工程学院	2	71	2.0	2.0