LP-MOCVD生长 InGaA1P外延层In组分控制的动力学分析

• 作者: 刘颂豪 廖常俊 文尚胜 范广涵
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压有机金属化学气相外延 InGaAlP 动压力 In组分
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 175-178
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2001.02.017

摘要

本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模型".解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学MOCVD实验室	147	1064	16.0	26.0
2	刘颂豪	华南师范大学MOCVD实验室	308	3297	27.0	39.0
3	文尚胜	华南理工大学应用物理系	96	434	11.0	15.0
5	廖常俊	华南师范大学MOCVD实验室	92	843	15.0	23.0