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摘要:
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜,制备了两类样品:一类是在Si上直接外延ZnO,另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果,表明ZnO外延薄膜中的张应力对薄膜的结晶状况有着重要的影响,使用SiC过渡层能够有效缓解ZnO薄膜中的张应力,减小缺陷浓度,提高ZnO外延层的质量;然后根据缺陷的形成机制进一步提出,对于ZnO/Si,其中较大的张应力导致了高浓度的非辐射复合缺陷的形成,使得样品的紫外和绿峰的发射强度均大大降低;对于ZnO/SiC/Si,其中较小的张应力导致ZnO薄膜中主要形成氧替位缺陷OZn,从而使发光中的绿峰增强.
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文献信息
篇名 LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 ZnO薄膜 应力 缺陷 拉曼光谱
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 2899-2903
页数 5页 分类号 O4
字数 3649字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.06.078
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 傅竹西 中国科学技术大学物理系 53 808 17.0 27.0
5 张杨 中国科学技术大学物理系 43 179 7.0 12.0
6 林碧霞 中国科学技术大学物理系 32 700 16.0 26.0
10 朱俊杰 中国科学技术大学物理系 39 448 14.0 19.0
11 孙贤开 中国科学技术大学物理系 3 34 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
应力
缺陷
拉曼光谱
研究起点
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研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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