LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响

• 作者: 傅竹西 孙贤开 张杨 朱俊杰 林碧霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 应力 缺陷 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2899-2903
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.06.078

摘要

利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜,制备了两类样品:一类是在Si上直接外延ZnO,另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果,表明ZnO外延薄膜中的张应力对薄膜的结晶状况有着重要的影响,使用SiC过渡层能够有效缓解ZnO薄膜中的张应力,减小缺陷浓度,提高ZnO外延层的质量;然后根据缺陷的形成机制进一步提出,对于ZnO/Si,其中较大的张应力导致了高浓度的非辐射复合缺陷的形成,使得样品的紫外和绿峰的发射强度均大大降低;对于ZnO/SiC/Si,其中较小的张应力导致ZnO薄膜中主要形成氧替位缺陷OZn,从而使发光中的绿峰增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
5	张杨	中国科学技术大学物理系	43	179	7.0	12.0
6	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
10	朱俊杰	中国科学技术大学物理系	39	448	14.0	19.0
11	孙贤开	中国科学技术大学物理系	3	34	2.0	3.0