薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

• 作者: 任慧志 孙建 张德坤 耿新华 薛俊明 赵颖 陈新亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD ZnO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 1313-1317
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.06.033

摘要

本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜(110)峰趋于择优取向,且晶粒逐渐长大,薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜;Hall测量表明,较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性,可归于晶粒长大和晶体质量提高.40min沉积时间(膜厚为1250nm)制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构,其晶粒尺寸为300～500nm,电阻率为7.9×10-3Ω·cm,迁移率为26.8cm2/Vs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任慧志	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	10	54	4.0	7.0
2	薛俊明		4	39	3.0	4.0
3	陈新亮	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	14	19	2.0	4.0
4	张德坤		2	11	2.0	2.0