基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
【正】 SPIE-Vol.3621 01002411999年 SPIE 会议录,卷3621:发光二极管研究、制造与应用(3)=1999 Proceedings of SPIE,Vol.3621:light-emitting diodes:research,manufacturing,and ap-plications Ⅲ[会,英]/SPIE-the International Society forOptical Engineering.—1999.—260P.(PC)本会议录收集了于1999年1月27~28日在美国加州圣何塞召开的发光二极管研究、制造与应用专题讨论会上发表的27篇论文。内容涉及Ⅲ-氮化物发光二极管.Ⅲ-氮化物与相关材料.有机与聚合物发光二极管(LED).Ⅲ-As 与Ⅲ-PLED,以及新结构与材料等。
推荐文章
半导体器件寿命计算
半导体器件
寿命计算
失效率
阿伦纽斯模型
半导体器件寿命影响因素分析及处理方法
半导体器件
寿命
浪涌
静电
软启动
消浪涌电路
基于失效机理的半导体器件寿命模型研究
半导体器件
加速寿命试验
失效机理
塑封半导体器件的可靠性保证措施
塑封半导体器件
可靠性
温度适应性评估
二次筛选
破坏性物理分析
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 半导体器件
来源期刊 电子科技文摘 学科 工学
关键词 聚合物发光二极管 半导体器件 会议录 氮化物 新结构 专题讨论会 美国加州 相关材料 制造 论文
年,卷(期) dzkjwz_2001,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 22-22
页数 1页 分类号 TN
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2001(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
聚合物发光二极管
半导体器件
会议录
氮化物
新结构
专题讨论会
美国加州
相关材料
制造
论文
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技文摘
月刊
1009-0851
11-4388/TN
16开
1999
chi
出版文献量(篇)
10413
总下载数(次)
1
论文1v1指导