离子束增强沉积AlN薄膜的研究

• 作者: 多新中 张苗 徐政 林成鲁 郑志宏 门传玲
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束增强沉积 AlN SOI
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 单晶,薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 366-369
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3189字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2001.05.014

摘要

利用离子束增强沉积(IBED)法成功地在Si(100)衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜.XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在0.05 nm/s及0.10nm/s的蒸发速率下制得的薄膜N/A1分别为0.402:1和0.250:1.SRP测试结果表明,随着Al蒸发速率的提高,表面电阻下降,并且在0.05 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密,表面电阻高于108 Ω,绝缘性能良好,而当蒸发速率≥0.25 nm/s时,薄膜绝缘性能迅速下降.AFM分析显示薄膜呈岛状分布,且0.05 nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积,颗粒均匀,表面比0.10 nm/s样品起伏平缓、光滑,薄膜的生长机制可能是三维岛状生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政	同济大学材料学院微电子所	160	2312	24.0	39.0
2	林成鲁	中国科学院上海冶金所	44	595	15.0	23.0
3	门传玲	同济大学材料学院微电子所	4	39	4.0	4.0
7	多新中	中国科学院上海冶金所	7	20	2.0	4.0
8	张苗	中国科学院上海冶金所	20	83	6.0	8.0
9	郑志宏	中国科学院上海冶金所	8	102	7.0	8.0