C(膜)/Si(SiO2 )(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析

• 作者: 刘存业 刘晓东 李建 林跃强 王跃 赵保刚 邱晓燕
• 来源期刊: 化学物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳膜 Si(SiO2)纳米微粒 夹层膜
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 439-444
• 页数: 6页
• 分类号: TB323
• 字数: 2547字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-0068.2001.04.009

摘要

用直流辉光溅射+真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料- C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)夹层膜,并对其进行了退火处理.用TEM、 SEM、 XRD和XPS对其进行了形态结构分析.TEM观察表明: Si(SiO2)纳米微粒基本呈球形,粒径在30 nm左右.SEM观察表明: 夹层膜样品总厚度约为50 μm,膜表面比较平整、致密.400℃退火后,样品表面变得凹凸不平,出现孔状结构; 650℃退火后,样品表面最平整、致密且颗粒均匀.XRD分析表明:制备出的夹层膜主要由SiO2和Si组成,在C原子的还原作用和氧气的氧化作用的共同作用下, SiO2和Si的含量随加热温度的升高而呈现交替变化: 400℃时, C的还原作用占主导地位, SiO2几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高; 400～650℃时,氧化作用占主导地位, Si又被氧化成SiO2, Si含量降低, SiO2含量逐渐上升,在650℃达到最高.XPS分析表明: 在加热过程中, C原子逐渐扩散进入Si(SiO2)微粒层,在650℃与Si反应生成了新的SiC.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林跃强	西南师范大学物理系	5	8	2.0	2.0
2	刘晓东	西南师范大学物理系	9	35	3.0	5.0
3	李建	西南师范大学物理系	14	84	6.0	8.0
4	刘存业	西南师范大学物理系	11	49	4.0	6.0
5	赵保刚	西南师范大学物理系	4	59	2.0	4.0
6	邱晓燕	西南师范大学物理系	4	6	2.0	2.0
7	王跃	西南师范大学物理系	4	4	2.0	2.0