X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

• 作者: 刘爽 宁永功 杨家德 陈艾 龙再川
• 来源期刊: 红外与激光工程
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线衍射 X射线光电子能谱 PtSi薄膜
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 66-69
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2276.2001.01.018

摘要

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi转化，是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察，研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体(N2和H2)退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明，氢气气氛退火能提高薄膜质量；真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。