钇改性PZT薄膜的极化印刻研究

• 作者: 丁爱丽 仇萍荪 罗维根
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 Y-PZT薄膜 印刻(imprinting)
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 928-932
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 1993字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.024

摘要

铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁爱丽	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	136	6.0	11.0
2	仇萍荪	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	42	4.0	6.0
3	罗维根	中国科学院上海硅酸盐研究所	8	81	4.0	8.0