基于石英基底的PZT薄膜制备研究

• 作者: 于舜尧 孔祥新 崔岩 李嘉豪
• 来源期刊: 机电工程技术
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 氮化硅 石英基底 PZT薄膜
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 106-108
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 1197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2019.12.035

摘要

研究了在石英基底上制备PZT薄膜,通过在石英基底上制备氮化硅沉积层来改善PZT薄膜质量.运用PECVD技术在石英基底上制备氮化硅沉积层,使用溶胶-凝胶法在沉积层上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜,并对PZT薄膜的性能进行了表征.氮化硅沉积层的厚度选为500 nm,PZT薄膜的制备厚度选为1μm,对PZT薄膜的晶向、漏电流、介电性能和铁电性能进行了表征,结果表明在拥有氮化硅沉积层的石英基底上能够制备出性能优良的PZT薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔岩	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	59	332	10.0	16.0
2	孔祥新	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	2	5	1.0	2.0
3	于舜尧	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	李嘉豪	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	1	0	0.0	0.0