控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

• 作者: 闻瑞梅 陈胜利
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 溶解氧 膜接触器 总有机碳 185nm紫外线
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1009-1012
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 3598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.001

摘要

本文介绍了溶解氧(DO)以及总有机碳(TOC)对超大规模集成电路(ULSI)用水的污染,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据.研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较,本文设计了用脱氧膜接触器,降低高纯水中的溶解氧.结合用双级反渗透(RO)及电脱盐(EDI)[1～3]再加上185nm紫外光照射高纯水,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至0.6μg/L和0.7μg/L,并用键能理论解释了185nm紫外降低TOC的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闻瑞梅	同济大学电子信息学院	24	151	8.0	11.0
2	陈胜利	同济大学电子信息学院	1	3	1.0	1.0