低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs

• 作者: 刘英坤 张颖秋 李思渊 梁春广 邓建国 郎秀兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压 梯形栅结构 钼栅工艺 甚高频功率VDMOSFET
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 975-978
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.005

摘要

采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺，研制出了高性能，低电压工作，适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W，漏极效率为70%，功率增益为12dB．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李思渊	兰州大学物理系	25	113	7.0	9.0
2	梁春广		9	68	3.0	8.0
3	刘英坤	兰州大学物理系	4	6	2.0	2.0
7	邓建国		3	7	2.0	2.0
8	张颖秋		2	8	2.0	2.0
9	郎秀兰		1	3	1.0	1.0