铒掺杂富硅热氧化SiO2/Si发光薄膜的显微结构

• 作者: 张通和 徐飞 易仲珍 曾宇昕 程国安 肖志松 顾岚岚
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: MEVVA离子源 铒 光致发光 显微结构
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 758-762
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 4719字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0593.2001.06.007

摘要

利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2/Si薄膜中.卢瑟福背散射(RBS)和X-射线电子能谱仪(XPS)分析表明,Er浓度可达原子百分数(x)～10,即Er的原子体浓度为～1021·cm-3.XPS研究发现,随着Si注量增大,退火态样品表面硅含量增多,热氧化硅含量减少.反射式高能电子衍射(RHEED)和原子灵敏度因子法(AFM)研究表明,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成.在77 K及室温下,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2/Si薄膜的近红外区1.54 μm附近光致发光光谱.