CO2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积非晶形低氢氮化硅薄膜

• 作者: 刘海北 张胜雄 蔡宏盛 邱欣庆
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 低氢氮化硅薄膜 CO2激光辅助 等离子体激励式化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 光学元件
• 页码范围: 52-54
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2336字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2001.01.012

摘要

利用CO2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积系统(Laser-assisted Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,or LAPECVD)，在硅(Si)基片上沉积出非晶形含氢较低的氮化硅(a：Si-Nx：H)薄膜。这些薄膜的折射率增加、膜致密性及平整度良好，其抗腐蚀性亦明显提升。LAPECVD沉积法是在电容式RF放电解离反应气体的同时，以输出功率密度3.3W/cm2的CO2激光斜向照射在硅基片上。因为激光斜照在硅基片上所提升的温度只有55℃，且可大量减少膜中的氢含量，以波长10.58 μm激光照射获得的薄膜品质较波长9.52μm更佳，将此一非热效应的发生原因提出推论。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡宏盛	中央大学光电科学研究所	1	3	1.0	1.0
2	邱欣庆	中央大学光电科学研究所	1	3	1.0	1.0
3	张胜雄	中央大学光电科学研究所	1	3	1.0	1.0
4	刘海北	中央大学光电科学研究所	1	3	1.0	1.0