制版、光刻、腐蚀与掩模工艺

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 投影光刻 绝缘体上硅技术 集成电路 光刻技术 发展趋势 光刻胶 强激光 制造技术 特征线 掩模
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 24-24
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2000-62422-1 0103757绝缘体上硅技术的发展趋势=Mainstreaming of theSOI technology[会,英]/Shahidi,G.& Ajmera,A.//1999 IEEE International SOI Conference Proceedings.—1～4(EC)0103758软 X 射线投影光刻技术[刊]/金春水//强激光与粒子束.—2000,12(5).—559～564(L)软 X 射线投影光刻作为特征线宽小于0.1μm 的集成电路制造技术,倍受日美两个集成电路制造设备生产大国重视。随着用于软 X 射线投影光刻的无污