半导体器件

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 金属栅 小信号 参数分析 情报通信 电路模型 高频特性 分布特性 分析推导 研究报告
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2001-62724-164 0114820无线频率 IC 应用的金属栅 MOSFET 模拟=Metal-over-gare MOSFET modeling for radio frequency IC ap-plications[会,英]/MacEachern,L.& Manku,T.//2000 IEEE International Symposium on Circuits and Sys-terns.Vol.2.—164～167(HC)本文分析了高频特性的金属栅(Metal-Over-gate)MOSFET.研究了栅和金属栅的分布特性,给出小信号参数分析,依据全面分析推导了简化小信号 Y 参数,并用来构成等效小信号抽运电路模型,说明与常用MOSFET 比较,金属栅 MOSFET 育较高 Gmax。参11