Ge-SiO2薄膜的XPS研究

• 作者: 余跃辉 叶春暖 吴雪梅 姚伟国 汤乃云 诸葛兰剑
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ge-SiO2薄膜 溅射 XPS谱 退火
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1857字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟,对样品进行XPS分析,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据.结合XRD谱图分析结果可发现,退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用.随着退火温度的升高,样品中的Si向高价态转化,Ge则向低价态转化;GeO含量在800℃退火样品中为最大,高于800℃退火样品中急剧减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
2	诸葛兰剑	苏州大学分析测试中心	59	199	8.0	11.0
3	汤乃云	苏州大学物理系	10	38	4.0	5.0
4	叶春暖	苏州大学物理系	11	54	4.0	6.0
5	姚伟国	苏州大学物理系	21	66	4.0	6.0
6	余跃辉	中国科学院上海冶金所	1	2	1.0	1.0