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摘要:
x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求.本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析.
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文献信息
篇名 同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 T形栅 x射线掩模 x射线光刻 同步辐射
年,卷(期) 2002,(6) 所属期刊栏目 显微、测量、微细加工技术与设备
研究方向 页码范围 39-41
页数 3页 分类号 TN305.7
字数 2237字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.06.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李兵 中国科学院微电子中心 79 708 16.0 24.0
2 叶甜春 中国科学院微电子中心 200 911 14.0 18.0
3 陈大鹏 中国科学院微电子中心 79 466 10.0 17.0
4 谢常青 中国科学院微电子中心 50 258 9.0 12.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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参考文献  (2)
节点文献
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1979(1)
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1993(1)
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2002(0)
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  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
T形栅
x射线掩模
x射线光刻
同步辐射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
3266
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22
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