Bi-CMOS工艺的高精度单向模拟开关研究

• 作者: 李志辉 王东梅 田松 袁凯 陈东石 高松
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 高精度 模拟开关 Bi-CMOS
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 17-19,22
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 3210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2002.03.006

摘要

分析了一种以Bi-CMOS工艺实现的高精度单向隔离模拟开关,这种开关用在高速A/D转换器中使电路结构大为简化.通过对开关特性的理论分析、电路模拟及工艺验证,证明了这种模拟开关所具有的高速可控性和传输信号的精度均优于双极工艺所实现的单向隔离模拟开关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高松		2	3	1.0	1.0
2	袁凯		11	8	1.0	2.0
3	李志辉		1	0	0.0	0.0
4	陈东石		2	3	1.0	1.0
5	王东梅		1	0	0.0	0.0
6	田松		1	0	0.0	0.0