FINFET的三维模拟

• 作者: 刘恩峰 刘晓彦 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FINFET 三维模拟 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 909-913
• 页数: 5页
• 分类号: TN302
• 字数: 1008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.003

摘要

采用三维模拟软件对具有FINFET结构的SOI-MOSFET进行了模拟.研究了FINFET的I-V特性、亚阈值特性、短沟道效应等.模拟发现,通过降低fin的高度可以有效地抑制短沟道效应与提高器件的性能,因此fin的高度是器件设计中一个关键参数.模拟结果表明FINFET在特性上优于传统的单栅器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘恩峰	北京大学微电子所	5	30	2.0	5.0
2	刘晓彦	北京大学微电子所	41	268	9.0	15.0
3	韩汝琦	北京大学微电子所	38	261	10.0	14.0