Nb取代对Ba3Nd3Ti10-nNbnO27.5+n/2瓷介电性能和结构的影响

• 作者: 江涛 陈亿裕 韩晓东
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钡钕钛铌瓷 钨青铜结构 Nb取代 缺陷结构 介电常数
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 1396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.03.004

摘要

以Ba3Nd3Ti10O30为基,通过不同量的Nb取代实验,探讨Nb取代对Ba3Nd3Ti10-nNbnO27.5+n/2瓷(n=0～10 mol)(简称BNTN)介电性能和结构的影响.实验结果表明,Nb取代使其?显著提高,并改变??与频率特性.XRD、SEM结构分析可知,主晶相为非填满型钨青铜结构四方晶相.Nb取代产生VA2(Ba)缺位,缺陷结构有利于电子、离子位移极化的发生,晶相极化率增大.显然Nb取代引起这种结构变化是?显著提高的主要机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江涛	华南理工大学电子材料与元件系	18	107	6.0	10.0
2	陈亿裕	华南理工大学电子材料与元件系	9	75	3.0	8.0
3	韩晓东	华南理工大学电子材料与元件系	2	12	2.0	2.0