CVD金刚石薄膜的掺硼研究

• 作者: 何贤昶 张志明 李荣斌 杨小倩 沈荷生 胡晓君
• 来源期刊: 机械工程材料
• 学科: 工学
• 关键词: CVD金刚石薄膜 掺杂 电学性能
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 16-18,28
• 页数: 4页
• 分类号: TG156.8
• 字数: 2590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3738.2002.01.004

摘要

采用固体三氧化二硼,在单晶硅(100)衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究.结果表明,硼确实已掺入金刚石膜中;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极,测试了在不同温度下电流随温度的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志明	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	46	553	15.0	21.0
2	沈荷生	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	45	494	12.0	20.0
3	李荣斌	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	14	187	7.0	13.0
4	胡晓君	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	15	124	6.0	10.0
5	何贤昶	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	25	247	8.0	15.0
6	杨小倩	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	6	41	3.0	6.0