混合电压I/O电路的ESD保护结构研究

• 作者: 岳震 徐玲 谢俊玲
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 混合电压I/O电路 组合NMOS 硅化物工艺 HBM
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2002.01.006

摘要

给出了混合电压I/O电路坚固的ESD保护结构,它是由放大器结构的NMOS晶体管组合而成.这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成.为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳震		1	0	0.0	0.0
2	谢俊玲		1	0	0.0	0.0
3	徐玲		2	3	1.0	1.0