全方位离子注入及增强沉积工业机和应用

• 作者: 严兵 冯铁民 王珂 穆莉兰 童洪辉 耿漫 赵军 陈庆川 霍岩峰
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 全方位离子注入 增强沉积 金属等离子体源 材料表面改性
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 页码范围: 684-689
• 页数: 6页
• 分类号: TG174
• 字数: 3900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.09.003

摘要

报道了等离子体源离子注入(PSII)或等离子体浸没离子注入(PIII)及增强沉积工业机的实验结果及应用.该机真空室直径900mm, 高1050mm, 立式放置, 抽气系统由分子泵及机械泵构成并且实现了PLC控制, 本底真空小于4×10-4Pa.等离子体由热阴极放电或三个高效磁过滤式金属等离子体源产生, 因此可实现全方位离子注入或增强沉积成膜.该机的负高压脉冲最高幅值为80kV, 最大脉冲电流为60A, 重复频率为50-500Hz, 脉冲上升沿小于2μs, 并且可根据需要产生脉冲串.其等离子体密度约为108-1010*cm-3, 膜沉积速率为0.1-0.5nm/s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈庆川		23	63	5.0	7.0
2	童洪辉		51	520	10.0	21.0
3	耿漫		4	14	3.0	3.0
4	霍岩峰		2	7	2.0	2.0
5	穆莉兰		2	7	2.0	2.0
6	王珂		3	36	3.0	3.0
7	冯铁民		1	5	1.0	1.0
8	赵军		1	5	1.0	1.0
9	严兵		1	5	1.0	1.0