微电子封装中FeCl3蚀刻液沉淀失效及再恢复

• 作者: 马莒生 黄乐 黄辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氯化铁溶液 高玻美度 沉淀失效 再恢复
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TQ075+.1
• 字数: 4218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.07.001

摘要

在微电子封装中,多处要使用FeCl3溶液进行蚀刻,如PCB布线,细间距引线框架等.在实际湿法蚀刻的研究中,发现使用高玻美度的FeCl3溶液蚀刻效果好.而高玻美度溶液的低温结晶现象比低玻美度(40°Be)要明显得多,对科学研究和生产带来较大的不利.本文分析研究了FeCl3蚀刻液失效产物和产生机制,提出了失效的温度因素、杂质离子因素、时间因素的影响过程和再恢复的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马莒生	清华大学材料系电子材料与封装实验室	58	894	16.0	29.0
2	黄乐	清华大学材料系电子材料与封装实验室	27	682	13.0	26.0
3	黄辉	清华大学材料系电子材料与封装实验室	11	256	5.0	11.0