单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究

• 作者: 吴旻 潘姬 韩晓军 黄伟志
• 来源期刊: 天津工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 波导基槽 活性基
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 67-69
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1961字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-024X.2002.04.018

摘要

对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究,介绍氟化物反应离子刻蚀机理.对CF4和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析,总结出刻蚀优化工艺条件,解决了刻蚀中存在的工艺难题.试验表明,在CF4加O2的优化工艺条件下,其刻蚀具有良好的各向异性和较高的重复性,获得了良好的刻蚀效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩晓军	天津大学电子信息工程学院	5	55	4.0	5.0
2	黄伟志	天津大学电子信息工程学院	1	3	1.0	1.0
6	吴旻	天津大学电子信息工程学院	1	3	1.0	1.0
7	潘姬	天津大学电子信息工程学院	1	3	1.0	1.0