用于移动通信的砷化镓高频PHEMT小功率晶体管

• 作者: 张少芳 李拂晓
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 移动通信 砷化镓 高频 小功率 晶体管 功率器件
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN323.4

摘要

砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高，输出功率密度大，效率高，功率增益高等特点，我们研制的0．5μm栅长GaAsPHEMT小功率晶体管，栅宽1mm，直流跨导250ms/mm，栅漏反向击穿电压大于13V，在20GHz下最大可用增益为8dB，X波段输出功率为0．8W／mm，可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功率放大器。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李拂晓		60	352	10.0	14.0
2	张少芳		1	0	0.0	0.0