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摘要:
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果.
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文献信息
篇名 PHEMT结构材料及器件
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 微波毫米波 分子束外延 赝配结构高电子迁移率晶体管 异质结 二维电子气
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目 纳米器件与技术
研究方向 页码范围 15-17
页数 3页 分类号 TN405.98+4|TN325+3
字数 1783字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.02.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢自力 11 34 4.0 5.0
2 邱凯 8 33 3.0 5.0
3 尹志军 11 40 4.0 6.0
4 方小华 3 16 1.0 3.0
5 陈建炉 5 21 2.0 4.0
6 王向武 11 24 2.0 4.0
7 陈堂胜 56 225 8.0 12.0
8 高建峰 23 98 7.0 9.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
微波毫米波
分子束外延
赝配结构高电子迁移率晶体管
异质结
二维电子气
研究起点
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研究分支
研究去脉
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微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
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