硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性

• 作者: 刘晓彦 康晋锋 朱晖文 赵柏儒 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高k材料 热氧化 直流磁控溅射
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 337-341
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.001

摘要

采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜.测量了Ag/TiOx/Si/Ag电容器的I-V和C-V特性.结果表明,氧化钛薄膜的厚度为150～250nm,其介电常数是40～87.随着氧化时间的缩短,氧化钛薄膜中的固定电荷减少,漏电特性得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学研究所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
3	康晋锋	北京大学微电子学研究所	23	358	9.0	18.0
4	赵柏儒	中国科学院物理研究所	5	7	1.0	2.0
5	朱晖文	北京大学微电子学研究所	2	6	2.0	2.0