MOVPE生长1.3 μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究

• 作者: 易新建 李同宁 杨新民 金锦炎 马宏
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInAs 应变补偿量子阱 低压金属有机化学气相外延 无致冷
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 193-196
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2002.03.001

摘要

通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降低了材料中的氧杂质含量,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料,室温光致发光半宽FWHM=26 meV.采用此外延材料成功制作了1.3 μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器, 器件测试结果为:激射波长:1290 nm≤λ≤1330 nm;阈值电流:Ith(25℃)≤15 mA;Ith(85℃)≤25 mA;量子效率变化:Δηex(25～85℃)≤1.0 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易新建	华中科技大学激光技术国家重点实验室	102	1261	21.0	29.0
2	马宏	华中科技大学激光技术国家重点实验室	9	42	5.0	6.0
3	金锦炎	武汉邮电科学研究院国家光电子工艺中心武汉分部	3	16	2.0	3.0
4	杨新民	武汉邮电科学研究院国家光电子工艺中心武汉分部	2	16	2.0	2.0
5	李同宁	武汉邮电科学研究院国家光电子工艺中心武汉分部	4	25	3.0	4.0