半导体器件

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 发光学报 半峰宽 外量子效率 邓云龙 理论分析 发光峰 电流密度分布 有机发光二极管 热载流子
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 页码范围: 18-18
• 页数: 1页
• 分类号: TN312.8

摘要

【正】 0219655用荧光粉转换方法制备纯绿色 LED[刊]/蒋大鹏//发光学报.—2002,23(3).—311～313(E)采用荧光粉转换的方法制备了纯绿色 LED,所制备的纯绿光 LED 的发光峰值在520nm,其半峰宽约为30nm,法向光强为600mcd。参20219656高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析[刊]/邓云龙//发光学报.—2002,23(3).—255～260(E)通过对典型结构的高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析,计算了 LED 的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大,