MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备

• 作者: 吉争鸣 吴培亨 康琳 施建荣 蔡卫星 陈亚军
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: NbN AlN NbN/AlN/NbN 磁控溅射 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 272-275
• 页数: 4页
• 分类号: TM26
• 字数: 1663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.060

摘要

本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学超导电子学实验室	93	237	8.0	12.0
2	陈亚军	南京大学超导电子学实验室	28	116	7.0	9.0
3	康琳	南京大学超导电子学实验室	57	212	8.0	12.0
4	吉争鸣	南京大学超导电子学实验室	36	111	6.0	9.0
5	施建荣	南京大学超导电子学实验室	4	17	2.0	4.0
6	蔡卫星	南京大学超导电子学实验室	6	19	2.0	4.0