MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较

• 作者: 何丕模 吴惠桢 张寒洁 邱东江 陈奶波 鲍世宁
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 六方ZnO晶体薄膜 立方MgZnO晶体薄膜 紫外光致荧光谱(UVPL) X-射线光电子能谱(XPS)
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 349-352
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2003.05.007

摘要

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C-轴取向的ZnO薄膜.X-射线光电子能谱(XPS)结果表明,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高.紫外光致荧光谱(UVPL)测试显示,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从393nm蓝移至373nm,这可能与MgZnO的带隙变宽有关.对ZnO薄膜的研究还发现,生长过程中充O2与否对ZnO发光特性的影响显著,不充O2时样品的紫外荧光峰较之充O2条件下制得的样品发生红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍世宁	浙江大学物理系	40	77	5.0	7.0
2	张寒洁	浙江大学物理系	22	56	3.0	6.0
3	吴惠桢	浙江大学物理系	37	219	9.0	12.0
5	邱东江	浙江大学物理系	22	144	8.0	11.0
6	何丕模	浙江大学物理系	35	120	6.0	10.0
9	陈奶波	浙江大学物理系	5	44	5.0	5.0