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摘要:
对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1-2个数量级,得到了预期的数据和结果.这些工作为商用器件的空间开拓使用提供了很好的途径.
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文献信息
篇名 二次包封CMOS器件电子辐照实验研究
来源期刊 空间科学学报 学科 地球科学
关键词 二次封装 电离辐射 电子辐照 屏蔽
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 396-400
页数 5页 分类号 P35
字数 2050字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0254-6124.2003.05.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周辉 84 938 16.0 26.0
2 何宝平 46 291 9.0 13.0
3 郭红霞 81 385 10.0 13.0
4 陈雨生 36 433 11.0 19.0
5 卫宁 3 18 2.0 3.0
6 于伦正 4 18 2.0 4.0
7 党军 1 6 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
二次封装
电离辐射
电子辐照
屏蔽
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
空间科学学报
双月刊
0254-6124
11-1783/V
大16开
北京8701信箱
2-562
1981
chi
出版文献量(篇)
2074
总下载数(次)
3
总被引数(次)
9397
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