GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量

• 作者: 冯淦 张宝顺 朱建军 杨辉 梁骏吾 沈晓明 王玉田 赵德刚
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 学科: 工学
• 关键词: GaN X射线双晶衍射 厚度
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 122-125
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2003.02.005

摘要

提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法. 该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度, 此比值与GaN样品厚度在t <2 ?m为线性关系. 该方法消除了因GaN吸收造成的影响, 比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高, 更方便可靠.