Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究

• 作者: 傅竹西 刘宏图 刘磁辉 林碧霞 王晓平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: Nd离子注入 n型Si 深能级 热退火
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 483-487
• 页数: 5页
• 分类号: O613.72
• 字数: 3581字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.016

摘要

本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学院结构分析重点实验室中国科技大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	王晓平	中国科学院结构分析重点实验室中国科技大学物理系	35	217	8.0	14.0
3	刘磁辉	中国科学院结构分析重点实验室中国科技大学物理系	13	183	6.0	13.0
4	林碧霞	中国科学院结构分析重点实验室中国科技大学物理系	32	700	16.0	26.0
5	刘宏图	中国科学院结构分析重点实验室中国科技大学物理系	1	0	0.0	0.0