掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究

• 作者: 宋淑芳 徐叙瑢 许振嘉 陈维德
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN Er Pr 深能级
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1407-1412
• 页数: 6页
• 分类号: O53
• 字数: 3842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.03.069

摘要

利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 和0.410 eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 和0.390 eV;对每一个深能级的来源进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm处的发光,而且对能量输运和发光过程进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈维德	中国科学院半导体研究所	12	35	4.0	5.0
2	宋淑芳	北京交通大学光电子研究所	11	65	5.0	7.0
4	许振嘉	中国科学院半导体研究所	8	24	3.0	4.0
5	徐叙瑢	北京交通大学光电子研究所	20	54	4.0	6.0