Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究

• 作者: 徐科 曾雄辉 王建峰 王晓丹 莫亚娟 高崴崴
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN薄膜 离子注入 阴极荧光谱
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 1569-1574
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 2458字
• 语种: 中文

摘要

采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理.深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件.结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾雄辉	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	21	118	7.0	10.0
2	徐科	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	26	91	5.0	9.0
3	王建峰	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	15	36	3.0	5.0
4	王晓丹	苏州科技学院物理系	19	29	3.0	4.0
5	高崴崴	苏州科技学院物理系	2	2	1.0	1.0
6	莫亚娟	苏州科技学院物理系	2	2	1.0	1.0