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摘要:
通过理论分析、实际设计和实验,对矩形平面磁控溅射靶表面水平磁感应强度B的传统取值上限进行了拓展.结果表明:若阴极靶体下表面和4个侧面的的磁感应强度被屏蔽低于0.000 5 T,同时上表面覆盖同一靶材,则可抛弃屏蔽罩,采用裸靶结构,靶表面的水平磁感应强度B就可以远高于0.05 T,达到0.09 T;此外,B的增加显著降低了磁控溅射镀膜工艺的着火电压和维持放电电压,为实现低电压磁控溅射提供了另外一种思路.
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文献信息
篇名 无屏蔽罩的矩形平面磁控溅射靶的设计
来源期刊 华南理工大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 磁控溅射 屏蔽罩 磁感应强度 设计
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 38-41
页数 4页 分类号 TG113|TN305|TB43
字数 2301字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-565X.2003.01.010
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 常天海 华南理工大学电子与信息工程学院 67 317 10.0 14.0
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研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
屏蔽罩
磁感应强度
设计
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华南理工大学学报(自然科学版)
月刊
1000-565X
44-1251/T
大16开
广州市天河区五山路华南理工大学内
46-174
1957
chi
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