标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

• 作者: 徐茵 曲钢 秦福文 郎佳红 顾彪
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石 清洗 氮化 RHEED GaN
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 64-68
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 6012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.018

摘要

在经过校温的ECR-PEMOCVD装置上,通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验,结果表明:经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大;按照经验清洗30 min是不能清洗充分的,那么根据情况进行多步清洗就显得很重要了;结果表明清洗得很充分的衬底经20 min的氮化出来,而未清洗充分的衬底20 min或更长的时间是不能氮化出来的.