以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法

• 作者: 周燕 王晓晶 石旺舟 邱春文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅带衬底 多晶硅薄膜 等离子体化学气相沉积法 二次引铝 低温制备
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 361-365
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.016

摘要

本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜.第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶.通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射(XRD)谱分析,我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关.采用该工艺成功地制备了结晶度92%左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓晶	中国科学院广州能源研究所太阳能利用实验室	3	53	2.0	3.0
2	石旺舟	华东师范大学物理系	10	59	4.0	7.0
3	邱春文	汕头大学物理系	5	53	3.0	5.0
4	周燕	汕头大学物理系	3	3	1.0	1.0