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摘要:
用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10 nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxNy超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化.结果表明:低场时的漏电流很小;进入隧穿电场时,I-E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律;在更高的电场时,主要出现两种情形,其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿,其二是I-E曲线下移,偏离F-N关系,直至介质膜发生击穿.研究表明,I-E曲线随氮化时间增加而上移.文中对这些实验结果进行了解释.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性
来源期刊 华南理工大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 快速热氮化 超薄SiO2膜 电流传输特性
年,卷(期) 2003,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 51-54
页数 4页 分类号 O483.3
字数 2536字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-565X.2003.10.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张恒 华南理工大学应用物理系 30 303 10.0 16.0
2 陈蒲生 华南理工大学应用物理系 15 21 2.0 3.0
3 冯文修 华南理工大学应用物理系 10 10 2.0 2.0
4 田浦延 华南理工大学应用物理系 6 11 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
快速热氮化
超薄SiO2膜
电流传输特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华南理工大学学报(自然科学版)
月刊
1000-565X
44-1251/T
大16开
广州市天河区五山路华南理工大学内
46-174
1957
chi
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