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从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性
从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性
作者:
冯文修
张恒
田浦延
陈蒲生
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
快速热氮化
超薄SiO2膜
电流传输特性
摘要:
用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10 nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxNy超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化.结果表明:低场时的漏电流很小;进入隧穿电场时,I-E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律;在更高的电场时,主要出现两种情形,其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿,其二是I-E曲线下移,偏离F-N关系,直至介质膜发生击穿.研究表明,I-E曲线随氮化时间增加而上移.文中对这些实验结果进行了解释.
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(/年)
文献信息
篇名
从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性
来源期刊
华南理工大学学报(自然科学版)
学科
物理学
关键词
快速热氮化
超薄SiO2膜
电流传输特性
年,卷(期)
2003,(10)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
51-54
页数
4页
分类号
O483.3
字数
2536字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-565X.2003.10.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张恒
华南理工大学应用物理系
30
303
10.0
16.0
2
陈蒲生
华南理工大学应用物理系
15
21
2.0
3.0
3
冯文修
华南理工大学应用物理系
10
10
2.0
2.0
4
田浦延
华南理工大学应用物理系
6
11
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(3)
共引文献
(0)
参考文献
(9)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1967(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1969(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1982(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1985(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1990(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1995(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1997(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1998(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
快速热氮化
超薄SiO2膜
电流传输特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华南理工大学学报(自然科学版)
主办单位:
华南理工大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-565X
CN:
44-1251/T
开本:
大16开
出版地:
广州市天河区五山路华南理工大学内
邮发代号:
46-174
创刊时间:
1957
语种:
chi
出版文献量(篇)
6648
总下载数(次)
17
总被引数(次)
75046
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