混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性

• 作者: 段子刚
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOA 偏振无关 TM模增益 混合应变量子阱
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 1453-1455
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2267字
• 语种: 中文

摘要

采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期外延材料的芯片制作的LD,实现了TE和TM双偏振模激射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段子刚	深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室	14	22	4.0	4.0