硅外延层中的杂质

• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 外扩散 自掺杂 滞留层 S坑缺陷 增强吸杂外延
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 61-65,70
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

主掺杂质、固态外扩散杂质、气相自掺杂质、系统自掺杂质和金属杂质等五类杂质源是外延层中的常见杂质.主掺杂质决定外延层的电阻率.固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布.金属杂质在外延层中对器件有害.该文系统地介绍了掺杂源的掺杂过程也给出了控制的方法.