10A/500V MCT器件的研制

• 作者: 张发生 陈治明
• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: MCT 设计 试制
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 模拟器件
• 页码范围: 36-37,42
• 页数: 3页
• 分类号: TN91
• 字数: 2807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7604.2003.09.009

摘要

本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法.西安微电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品.测试结果表明,其在20V的栅压下能在4μs内关断50A/cm2的阴极电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化学院	83	498	11.0	18.0
2	张发生	中南林学院电子信息工程学院	7	27	3.0	5.0